دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک (طراحي و شبيه سازي تقويت كننده هاي عملياتي با توان و ولتاژ پايين و هدايت انتقالي ثابت)

دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک طراحي و شبيه سازي تقويت كننده هاي عملياتي با توان و ولتاژ پايين و هدايت انتقالي ثابت,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش الکترونیک,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش الکترونیک,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات ,دانلود پایان نامه درباره طراحي و شبيه سازي تقويت كننده هاي عملياتي با توان و ولتاژ پايين و هدايت انتقالي ثابت,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش الکترونیک,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق الکترونیک

با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک طراحي و شبيه سازي تقويت كننده هاي عملياتي با توان و ولتاژ پايين و هدايت انتقالي ثابت رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش الکترونیک قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۱۵۳ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
چكيده……………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱
مقدمه………………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۳
فصل اول : كليات
۱) تقويت كننده عملياتي…………………………………………………………………………………………………………….. ۶ -۱ °
۲) پارامترهاي پايهاي در تقويت كننده عملياتي………………………………………………………………………….. ۸ -۱ °
۳) كاربردهاي مهم تقويت كننده عملياتي…………………………………………………………………………………. ۱۱ -۱ °
۱) تقويت كننده وارون ساز……………………………………………………………………………………………………. ۱۱ -۳ -۱ °
۲) تقويت كننده نا وارون ساز…………………………………………………………………………………………………. ۱۲ -۳ -۱ °
۴) مشخصه الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت……………………………………………………………………………. ۱۳ -۱ °
۱-۴ ) وارونگي قوي……………………………………………………………………………………………………………………… ۱۴ -۱
۲) وارونگي ضعيف…………………………………………………………………………………………………………………. ۱۶ -۴ -۱ °
۱-۲ ) هدايت انتقالي در وارونگي ضعيف………………………………………………………………………………… ۱۷ -۴ -۱ °
۳) ناحيه وارونگي متوسط……………………………………………………………………………………………………… ۱۸ -۴ -۱ °
۵) ولتاژ تغذيه پايين، توان پايين………………………………………………………………………………………………. ۱۹ -۱ °
۱-۵ ) چالشهاي اصلي طراحي مدار آنالوگ ولتاژ پايين…………………………………………………………… ۱۹ -۱ °
۱-۱-۵ ) محدوده ديناميكي……………………………………………………………………………………………………….. ۲۱ -۱ °
۲-۵ ) توان پايين……………………………………………………………………………………………………………………….. ۲۳ -۱ °
۱-۲-۵ ) موجبات مصرف توان در مدارات مجتمع…………………………………………………………………….. ۲۵ -۱ °
فصل دوم : طبقه ورودي
۱) زوج ورودي تفاضلي ماسفت…………………………………………………………………………………………………… ۲۸ -۲ °
ز
۳۰…………………………………………………………………………..Rail-to-Rail 2) معرفي طبقات ورودي مكمل -۲ °
و معايب آن………………………………………………………………………………… ۳۱ R-R 3) توصيف طبقه ورودي -۲ °
۴) ساختارهاي ورودي در محيط ولتاژ پايين……………………………………………………………………………… ۳۴ -۲ °
۱) ترانزيستورهاي مد تخليه…………………………………………………………………………………………………… ۳۴ -۴ -۲ °
۲) ترانزيستورهاي گيت شناور……………………………………………………………………………………………….. ۳۴ -۴ -۲ °
۳) ترانزيستورهاي راه اندازي شده با بدنه………………………………………………………………………………. ۴۰ -۴ -۲ °
۱-۳ ) معايب روش راه اندازي شده با بدنه……………………………………………………………………………… ۴۷ -۴ -۲ °
۴) رهيافت انتقال دهنده سطح………………………………………………………………………………………………. ۴۸ -۴ -۲ °
۱-۴ ) انتقال سيگنال………………………………………………………………………………………………………………. ۵۱ -۴ -۲ °
۱-۱-۴ ) انتقال سيگنال خازني……………………………………………………………………………………………….. ۵۲ -۴ -۲ °
۲) انتقال سطح مقاومتي……………………………………………………………………………………………….. ۵۲ -۱-۴-۴ -۲
۵-۴ ) ورودي شبه تفاضلي………………………………………………………………………………………………………….. ۵۴ -۲
۶-۴ ) روش خود كسكد………………………………………………………………………………………………………………. ۵۵ -۲
۷) مدارات زير آستانه…………………………………………………………………………………………………………….. ۵۸ -۴ -۲ °
۱-۷-۴-۲ ) تقويت كننده توان پايين با باياس در ناحيه زير آستانه………………………………………………. ۶۱
فصل سوم : طبقه ورودي با هدايت انتقالي ثابت
۱) چرا هدايت انتقالي ثابت؟……………………………………………………………………………………………………….. ۶۳ -۳ °
ثابت ………………………………………………………………………………… ۶۸ gm 2) مروري بر طراحي تكنيكهاي -۳ °
ثابت- جريان دنباله متغير………………………………………………………………………………. ۶۸ gm 1) تكنيك -۲ -۳ °
ثابت- انتخاب جريان مينيمم/ ماكزيمم ……………………………………………………….. ۷۲ gm 2) تكنيك -۲ -۳ °
ثابت- انتقال سطح …………………………………………………………………………………………. ۷۳ gm 3) تكنيك -۲ -۳ °
ثابت براي منبع تغذيه ۳ ولت…………………………………………………… ۷۵ gm 4) ساختار طبقه ورودي -۲ -۳ °
۷۶……………………………………………………………………………………… Kn = Kp ، ثابت gm 5) طبقه ورودي -۲ -۳ °
۷۸……………………………………………………………………………………….. Kn . Kp ، ثابت gm 6) طبقه ورودي -۲ -۳ °
ح
۷) هدايت انتقالي ثابت با آينه جريان يك برابر……………………………………………………………………… ۸۱ -۲ -۳ °
فصل چهارم: بهبود بهره
۱) افزايش هدايت انتقالي …………………………………………………………………………………………………………… ۸۶ -۴ °
۲) بهبود امپدانس خروجي ………………………………………………………………………………………………………… ۸۷ -۴
۱) كسكد ………………………………………………………………………………………………………………………………. ۸۷ -۲ -۴ °
۲) ساختارهاي كسكد در طراحي ولتاژ پايين ……………………………………………………………………….. ۹۰ -۲ -۴ °
فصل پنجم : طبقه خروجي و جبران فركانسي
۱) ولتاژ خروجي سورس مشترك……………………………………………………………………………………………….. ۹۳ -۵ °
۱) طبقه خروجي سورس مشترك…………………………………………………………………………………………. ۹۳ -۱ -۵ °
۹۷………………………………………………………………………………………………….. AB 2) طبقات خروجي كلاس -۵
پيش خور………………………………………………………………………………… ۱۰۱ AB 3) طبقات خروجي كلاس -۵ °
پس خور………………………………………………………………………………….. ۱۰۶ AB 4) طبقات خروجي كلاس -۵ °
۵) جبران سازي فركانسي………………………………………………………………………………………………………… ۱۰۹ -۵ °
۱) جبران ميلر……………………………………………………………………………………………………………………… ۱۰۹ -۵ -۵ °
۲) خنثي كردن صفر ميلر……………………………………………………………………………………………………. ۱۱۳ -۵ -۵ °
۳) جبران سازي ميلر كسكد………………………………………………………………………………………………… ۱۱۴ -۵ -۵ °
۴) جبران ميلر نستد……………………………………………………………………………………………………………. ۱۱۷ -۵ -۵ °
فصل ششم : طراحي و شبيه سازي تقويت كننده عملياتي
با هدايت انتقالي ثابت …………………………………………………………… ۱۲۳ Rail-to-Rail 1) طبقه ورودي -۶ °
۲) طبقه خروجي……………………………………………………………………………………………………………………… ۱۲۵ -۶ °
۳) جبران فركانسي…………………………………………………………………………………………………………………… ۱۲۵ -۶
۴) پارامترهاي طراحي……………………………………………………………………………………………………………… ۱۲۶ -۶ °
ط
۵) نتايج شبيه سازي………………………………………………………………………………………………………………… ۱۲۷ -۶ °
فصل هفتم : نتيجه گيري و پيشنهادات
° نتيجه گيري……………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۳۱
° پيشنهادات…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۳۲
پيوست…………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۳۴
منابع و ماخذ
فهرست منابع لاتين…………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۳۵
چكيده انگليسي………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۳۸
ي
فهرست جدول ها
عنوان مطالب شماره صفحه
Vds,sat ولتاژ تغذيه و Vdd . 1- 1 : نوسان خروجي ساختارهاي تقويت كننده عملياتي تفاضلي
ولتاژ اشباع درين به سورس هستند……………………………………………………………………………………….. ۲۳
۱-۲ : نوسان مد مشترك ورودي تركيبات تقويت كننده………………………………………………………. ۲۸
۱-۶ : مقادير اجزاء ………………………………………………………………………………………………………………. ۱۲۶
۲-۶ : خلاصه عملكرد تقويت كننده عملياتي………………………………………………………………………. ۱۲۹
۱۲۹…………………………………..[ ۳-۶ : خلاصه عملكرد تقويت كننده عملياتي پيشنهاد شده در [ ۲۶
ك
فهرست شكل ها
عنوان مطالب شماره صفحه
۱-۱ : تقويت كننده وارون ساز…………………………………………………………………………………………………. ۱۱
۲-۱ : تركيب تقويت كننده نا وارون ساز………………………………………………………………………………… ۱۲
۰ ولت و / ۰ ولت، ۶ / به ترتيب ۸ . و .f ،VT 3-1 : ولتاژ آستانه بر حسب ولتاژ سورس – بدنه ، ۰
v -1/2
0/7 هستند……………………………………………………………………………………………………………………… ۱۵
بر حسب ولتاژ (الف) گيت- سورس (ب) درين- سورس………………………. ۱۸ iD 4: منحنيهاي -۱
۵-۱ : ساختارهاي كسكد و غير كسكد ، (الف) يك طبقه بهره كسكد به اضافه طبقه خروجي،
نرماليزه (در GBW (ب) يك طبقه بهره ساده به اضافه طبقه خروجي، (ج) اندازه ترانزيستور و
بر حسب ولتاژ تغذيه كننده …………………………………………………………………………………….. ۲۰ (Vx گره
۶-۱ : (الف) تقويت كننده عملياتي دو طبقه (ب) تقويت كننده عملياتي كسكد تا شده (ج)
تقويت كننده عملياتي تلسكوپي……………………………………………………………………………………………… ۲۲
۱-۲ : تركيبات تقويت كننده عملياتي، (الف) تركيب وارون ساز ، (ب) تركيب نا وارون ساز، (ج)
دنبال كننده ولتاژ (يا بافر ولتاژ، يك حالت خاصي از (ب)) و (د) تركيب كاملا تفاضلي…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۲۸
۲۹……………………………………………………………………………….n 2-2 : زوج ورودي تفاضلي ماسفت كانال
۳۱……….CMOS ( در پياده سازيهاي (الف) دو قطبي و (ب Rail-to-Rail 3: طبقه ورودي -۲
۳۲…. p و كانال n كانال ،CMOS 4: محدوده ولتاژ ورودي مد مشترك طبقه ورودي تفاضلي -۲
۳۳…………….. CMOS 5: هدايت انتقالي بر حسب ولتاژ ورودي مد مشترك يك طبقه ورودي -۲
۳۴………………………………………………..n 6: سطح مقطع يك ترانزيستور ماسفت مد تخليه كانال -۲
۳۵………………………………..n 7: سطح مقطع و نمايش مداري يك ترانزيستور گيت شناور كانال -۲
۸: ماسفت گيت شناور چند ورودي، (الف) جانمايي، ( ب) نماد شماتيك، (ج) مدار -۲
معادل………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۳۷
۹: زوج تفاضلي بنا شده روي ماسفتهاي گيت شناور……………………………………………………… ۳۹ -۲
۱۰ : ساختار آينه جريان بنا شده روي ماسفتهاي گيت شناور……………………………………. ۳۹ -۲
راه اندازي شده با بدنه………………………………………………… ۴۱ p 11 : زوج ورودي تفاضلي كانال -۲
در n 12 : ترانزيستور ماسفت راه اندازي شده با بدنه، (الف) سطح مقطع و نماد ماسفت كانال -۲
مشابه JFET ب) ماسفت راه اندازي شده با بدنه با يك ترانزيستور ) ،p تكنولوژي چاه
ل
است…………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۴۱
معادل با ماسفت راه اندازي شده با بدنه…………………………………………………….. ۴۲ JFET :13 -2
14 : آينه جريان بنا شده بر روي ماسفتهاي راه اندازي شده با بدنه………………………….. ۴۳ -۲
آينه جريان بنا شده بر روي ماسفتهاي راه اندازي شده با بدنه…. ۴۴ JFET 15 : مدار معادل -۲
۴۴……………………………………………۱۵ – مدار نشان داده شده در شكل ۲ JFET 16 : مدار معادل -۲
با (الف) ولتاژ بدنه به سورس باياس معكوس شده و n 17 : نواحي تخليه ترانزيستور كانال -۲
(ب) ولتاژ بدنه به سورس بزرگتر از صفر ولت……………………………………………………………………….. ۴۵
p در يك زير بناي نوع n 18 : ترانزيستورهاي پيوند دوقطبي طفيلي، (الف) ترانزيستور كانال -۲
۴۶…………………………………………………………………………………………………………p و (ب) در فرآيند چاه
۱۹ : آينه جريان………………………………………………………………………………………………………………….. ۴۹ -۲
۲۰ : آينه جريان اصلاح شده با استفاده از تكنيك انتقال دهنده سطح………………………………. ۴۹ -۲
۲۱ : ورودي خازني با (الف) سطح باياس مياني و (ب) سطح باياس تغذيه………………………… ۵۲ -۲
۲۲ : انتقال سطح ولتاژ به وسيله مقاوتها ………………………………………………………………………. ۵۳ -۲
۲۳ : انتقال سطح ديناميكي مبتني بر مقاومت با يك زوج ورودي تفاضلي مكمل…………. ۵۴ -۲
۲۴ : توپولوژيهاي ورودي تفاضلي (الف) زوج ورودي تفاضلي، (ب) زوج ورودي شبه -۲
تفاضلي…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۵۵
۲۵ : آينه جريان كسكد……………………………………………………………………………………………………….. ۵۶ -۲
۲۶ : باياس مستقل براي ماسفت استفاده شده در كسكد ………………………………………………….. ۵۶ -۲
۲۷ : (الف) ساختار خودكسكد (ب) ترانزيستور مركب معادل…………………………………………….. ۵۷ -۲
۲۸ : ساختار آينه جريان بنا شده روي ماسفتهاي خود كسكد…………………………………………. ۵۸ -۲
۲۹ : مدل ماسفت………………………………………………………………………………………………………………… ۵۹ -۲
۳۰ : آينه جريان بنا شده روي ماسفتهاي زيرآستانه…………………………………………………………. ۶۰ -۲
۳۱ : مشخصه ولتاژ ورودي يك آيينه جريان……………………………………………………………………….. ۶۰ -۲
متعارف، (الف) مدار اصلي، (ب) هدايت انتقالي بر n-p مكمل Rail-to-Rail 1: طبقه ورودي -۳
VCMN ) p و n حسب ولتاژ مد مشترك ورودي و (ج) نوسانهاي مد مشترك زوجهاي ورودي
۶۳………………………………………………………………………………………………………………………………….(VCMP و
۲: تقويت كننده عملياتي دو طبقه……………………………………………………………………………………… ۶۴ -۳
۳-۳ : تقويت كننده ولتاژ پس خور با تغيير هدايت انتقالي (الف ) نمودار بلوكي (ب) مدار
معادل……………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۶۷
م
.[ با استفاده از تكنيك جريان دنباله متغير [ ۲۶ Rail-to-Rail ثابت gm 4-3 : طبقه ورودي
(الف) مدار مفهومي، (ب) مدار واقعي………………………………………………………………………………………. ۶۹
با استفاده از تكنيك جريان دنباله متغير (الف) مدار Rail-to-Rail ثابت gm 5-3 : طبقه ورودي
۷۰…………………………………………………………[ زوج پشتيبان در [ ۲۷ ] (ب) مدار زوج پشتيبان در [ ۲۸
در (الف ) [ ۲۶ ]، (ب) Rail-to-Rail 6-3 : هدايت انتقالي برحسب ولتاژ ورودي طبقات ورودي
۷۱……………………………………………………………………………………………………………………..[ ۲۷ ] و (ج) [ ۲۸ ]
با استفاده از تكنيك انتخاب جريان مينيمم / Rail-to-Rail ثابت gm 7-3 : طبقه ورودي
ماكزيمم [ ۳۰ ]، (الف) اساس كار، (ب) مثال مداري………………………………………………………………… ۷۲
با استفاده از تكنيك انتقال سطح [ ۳۲ ]، (الف ) Rail-to-Rail ثابت gm 8-3 : طبقه ورودي
اساس كار، (ب) مثال مداري……………………………………………………………………………………………………. ۷۴
،[ با استفاده از انتقال سطح، (الف) اساس كار [ ۳۳ Rail-to-Rail ثابت gm 9-3 : طبقات ورودي
۷۴…………………………………………………………………………………………………………….. (ب) مثال مداري [ ۳۴
بر حسب مشخصه gm 10-3 : طبقه ورودي، (الف) ساختار اصلي، (ب) نتيجه شبيه سا زي
طبقه ورودي پيشنهادي…………………………………………………………………………………………………. ۷۶ Vi,cm
براي فرآيندهاي متفاوت …………………………………………………………. ۷۷ .p به .n 11-3 : نسبتهاي
۷۸…………………………………………………..(VC) ثابت، با استفاده از ولتاژ باياس gm 12-3 : مدار باياس
۷۹……………………………………….Id و Ic ، ثابت با استفاده از جريانهاي باياس gm 13-3 : مدار باياس
ثابت، يك پياده سازي متناوب با استفاده از جريانهاي باياس…………… ۷۴ gm 14-3 : مدار باياس
با هدايت انتقالي ثابت به وسيله كنترل جريان دنباله R-R 15-3 : طبقه ورودي دوقطبي
۸۲……………………………………………………………………………………………………………………………………………۱:۱
با كنترل جريان دنباله ۱:۱ (الف ) با Rail-to-Rail 16-3 : هدايت انتقالي يك طبقه ورودي
در وارونگي CMOS در وارونگي قوي (ب) با تكنولوژي دوقطبي يا CMOS تكنولوژي
ضعيف………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۸۲
الف) شماتيك (ب) مدل سيگنال كوچك……………………………………… ۸۶ ) ،DTMOS 1-4 : تركيب
۲-۴ : سه ساختار كسكد معروف، (الف) كسكد ساده، (ب) كسكد فعال و (ج) كسكد تاشده… ۸۷
۳-۴ : محدوديتهاي سقف خروجي يك طبقه كسكد فعال……………………………………………………. ۸۹
۴-۴ : طبقه ورودي زوج تفاضلي، (الف) بار آينه جريان و (ب) آينه جريان كسكد………………… ۹۰
۱-۵ : طبقه خروجي سورس مشترك ……………………………………………………………………………………. ۹۴
۹۵………………………………………………………………………..Rail-to-Rail 2-5 : طبقه خروجي پوش- پول
ن
مطلوب ………………………………………………………………………………….. ۹۷ AB 3-5 : تابع انتقال كلاس
با غير حساس بودن AB ب) مدار كنترل كلاس ) ، AB 4-5 : (الف) اساس مدار كنترل كلاس
به تغييرات فرآيند و ولتاژ تغذيه……………………………………………………………………………….. …………….. ۹۸
پيشخور مقاومتي ……………………… ۱۰۱ AB با كنترل كلاس Rail-to-Rail 5-5 : طبقه خروجي
با كنترل Rail-to-Rail 6-5 : جريان پوش و پول برحسب جريان خروجي براي طبقه خروجي
مقاومتي……………………………………………………………………………………………………………. ۱۰۲ AB كلاس
پيشخور ترانزيستوري……………….. ۱۰۳ AB با كنترل كلاس Rail-to-Rail 7-5 : طبقه خروجي
با Rail-to-Rail 8-5 : جريان پوش و پول بر حسب جريان خروجي براي طبقه خروجي
پيش خور………………………………………………………………………………. ۱۰۴ AB ترانزيستور كنترل كلاس
پس خور، جريان هاي ترانزيستورهاي خروجي AB با كلاس Rail-to-Rail 9-5 : طبقه خروجي
با مقاومتها اندازهگيري ميشود…………………………………………………………………………………………… ۱۰۷
۱۰-۵ : جريانهاي پوش – پول به عنوان تابعي از جريان خروجي براي طبقه خروجي كلاس
۱۰۹ …………………………………………………………………………………………………………………….۹- شكل ۵ AB
11-5 : بلوك دياگرام براي يك تقويت كننده عملياتي دو طبقه با جبران ميلر…………………… ۱۱۰
۱۱۰……………………۱۱- ۱۲-۵ : مدل سيگنال كوچك تقويت كننده عملياتي دو طبقه در شكل ۵
۱۲ قبل و بعد از قرار دادن خازن جبران ساز……………. ۱۱۲ – ۱۳-۵ : پاسخ فركانسي مدار شكل ۵
۱۴-۵ : تقويت كننده جبران سازي شده با ميلر كسكد………………………………………………………. ۱۱۵
۱۵-۵ : بلوك دياگرام براي يك تقويت كننده عملياتي سه طبقه با جبران ميلر نستد ………… ۱۱۷
۱۱۷…………………….۱۵- ۱۶-۵ : مدل سيگنال كوچك تقويت كننده عملياتي سه طبقهي شكل ۵
۱-۶ : ساختار تقويت كننده عملياتي پيشنهاد شده………………………………………………………………. ۱۲۲
۲-۶ : پاسخ فركانسي تقويت كننده عملياتي پيشنهادي………………………………………………………. ۱۲۷
۱۲۸……………………………………………………………………………Vi, cm نرماليزه بر حسب gmt 3-6 : منحني
تقويت كننده عملياتي در تركيب بهره واحد…………………………….. ۱۲۸ DC 4-6 : مشخصه انتقال
۱
چكيده
تقويت كننده عملياتي يك بلوك ساختاري بنيادي در طراحي مدار مجتمع آنالوگ است . براي ولتاژهاي تغذيه
پايين، ولتاژ ورودي مد مش ترك و ولتاژ خروجي تقويت كننده هاي عملياتي هميشه نيازمند آن هستند كه
.Rail-to-Rail توانايي نوسان از خط تغذيه منفي تا مثبت را داشته باشند. يعني
از زوج هاي تفاضلي مكمل استفاده Rail-to-Rail اكثر طراحي هاي متعارف براي رسيدن به محدوده
ميكنند. در ساختارهاي زوج تفاضلي مكمل، هنگامي كه هر دو زوج تفاضلي فعال هستند، تغييرات هدايت
انتقالي به ميزان ۱۰۰ % خواهد شد كه اين تغييرات نامطلوب استفاده از روش هاي هدايت انتقالي ثابت را تحميل
ميكند.
در مدارهاي ديجيتال، ولتاژهاي پايين تر منجر به مصرف توان پايين تر مي شوند. اما، كاهش ولتاژ تغذيه در
مدارهاي آنالوگ تاثير چنداني در كاهش توان ندارد . به همين منظور براي رسيدن به توان پايين در مدارهاي
آنالوگ بايد از روش ها و تكنيك هاي توان پايين استفاده كرد . در اكثر طراحي ها براي داشتن مصرف توان پايين،
مدارها را در ناحيه زير آستانه باياس ميكنند.
در اين پايان نامه، يك تقويت كننده عملياتي ولتاژ پايين، توان پايين با هدايت انتقالي ثابت و محدوده
پيشنهاد خواهد شد. Rail-to-Rail ورودي، خروجي
از زوج هاي تفاضلي Rail-to-Rail در طبقه ورودي تقويت كننده عملياتي براي به وجود آوردن محدوده
مكمل استفاده شده است، عمليات هدايت انتقالي ثابت توسط يك آينه جريان يك برابر و يك كليد جريان ميسر
ميگردد.
ترانزيستورهاي خروجي در تركيب سورس مشترك متصل Rail-to-Rail به منظور رسيدن به محدوده خروجي
شدهاند. با باياس ترانزيستورهاي تقويت كننده در ناحيه زيرآستانه هدف توان پايين، ولتاژ پايين نيز برآورده شده
۲
است. در اين پايان نامه از جبران سازي فركانسي ميلر كسكد استفاده شده كه در مقايسه با جبران سازي ميلر
كلاسيك، با مصرف توان كمتر پهناي باند بهتري را ارائه ميدهد.
۳
مقدمه
در فصل اول پايان نامه، تمامي مطا لب مورد نياز براي فهم تقويت كننده هاي عملياتي ولتاژ و توان پايين ارائه
ميشود. اگر چه اين مطالب اساساً براي اشخاص مبتدي حائز اهميت است، اما بخشي از اين فصل براي افرادي
كه مطالعه قبلي پيرامون فصل اوليه دارند نيز جالب و خواندني است.
در فصل دوم پايان نامه، مط البي پيرامون طبقه ورودي تقويت كننده عملياتي بيان مي گردد. در اين راستا،
،Rail-to-Rail مفاهيمي كه ارتباط مستقيم با طبقه ورودي دارد، مطرح مي شود . طبقات ورودي مكمل
ساختارهاي ورودي در محيط ولتاژ پايين، مزايا و معايب هر كدام از اين روشها در اين فصل معرفي ميگردد.
در فصل سوم پايان نامه، دلايل نياز به هدايت انتقالي ثابت معرفي مي گردد . در اين فصل، روش هاي
كاهش تغييرات هدايت انتقالي به تفصيل مورد بررسي قرار گرفته است.
در فصل چهارم پايان نامه ، دو روش افزايش بهره تقويت كننده عملياتي بررسي مي شود. در اين فصل، هم
چنين مروري بر ساختارهاي كسكد در طراحي ولتاژ پايين صورت گرفته است.
پيش خور و پس خور، AB ،AB در فصل پنجم پايان نامه ، طبقه خروجي سورس مشترك، كلاس
روشهاي جبران فركانسي بررسي مي گردد، كه روش جبران سازي ميلر كسكد بيان شده در اين فصل گزينه
مناسبي براي داشتن پهناي باند مناسب در طراحيهاي ولتاژ و توان پايين ميباشد.
پس از بيان كليه مطالب و مفاهيم مورد نياز و مشكلات طراحي يك تقويت كننده عملياتي با ولتاژ و توان پايين
در فصل هاي اول تا پنجم، تقويت كننده Rail-to-Rail و هدايت انتقالي ثابت و با محدوده ورودي و خروجي
عملياتي پيشنهاد شده در اين پايان نامه در فصل ششم مطرح شده است. در اين فصل طبقه ورودي و خروجي و
جبران سازي فركانسي طراحي معرفي شده به تفكيك مورد بررسي قرار گرفته است. اندازه و مقدار اجزاء مورد
استفاده در طراحي و نتايج شبيه سازي ارائه شده است . هم چنين در اين فصل مق ايسه اي بين نتايج طراحي
تقويت كننده عملياتي پيشنهاد شده و مرجع [ ۲۶ ] صورت گرفته است.
۴
در فصل هفتم پايان نامه ، نتيجه گيري و پيشنهادات لازم براي افراد علاقه مند به پيگيري موضوع اين پايان نامه
بيان شده است.
است. Hspice اين پايان نامه داراي يك پيوست ميباشد كه شامل پارامترهاي مدل

راهنمای خرید فایل از سایت : برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .